- Home
- Conrad
- Součástky
- Aktivní součástky
- Polovodiče
- FET
- Tranzistory MOSFET
- MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSS 84 GEG SMD NXP (při 100 mA) 10 Ω, 50 V, 0,13 A SOT 23
MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSS 84 GEG SMD NXP (při 100 mA) 10 Ω, 50 V, 0,13 A SOT 23
| Kód: | C:150901 |
| Výrobce: | Nexperia |
| Cena v e-shopu s DPH : | 3,- Kč |
| Přepočtená cena: | 0,10 EUR |
| Přepočtená cena bez DPH: | 0,10 EUR |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | není skladem |
| EAN: | 2050000011900 |
Související kategorie
| Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) | 50 V |
| Kanálů | 1 |
| Typ (výrobce) | BSS84GEG |
| Způsob montáže | Povrchová montáž |
| Typ pouzdra (polovodiče) | SOT-23 |
| Provozní teplota (max.) | +150 °C |
| Zkratka výrobce (součástky) | NEX |
| Výrobce | Nexperia |
| R(DS)(on) | 10 Ω |
| Referenční napětí R(DS)(on) | 10 V |
| I(d) | 130 mA |
| U(GS)(th) max. referenční proud | 1 mA |
| Typ tranzistoru | P-kanál |
| Referenční proud R(DS)(on) | 130 mA |
| C(ISS) | 45 pF |
| U(DSS) | 50 V |
| U(GS)(th) max. | 2 V |
| Referenční napětí C(ISS) | 25 V |
| Výkon | 0.36 W |
| Kategorie produktu | Tranzistor MOSFET |
Zboží ze stejné kategorie - MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSS 84 GEG SMD NXP (při 100 mA) 10 Ω, 50 V, 0,13 A SOT 23
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)800 VSérie (polovodiče)HiPerFET™ · PolarHT™Kanálů1Typ (výrobce)IXFP10N80PZpůsob montážePrůchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče)TO-220ABProvozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota ...
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)75 VSérie (polovodiče)HEXFET®Kanálů1Typ (výrobce)IRFB3077PBFZpůsob montážePrůchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče)TO-220ABProvozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota (max.)+175 °CZkratka ...
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)20 VSérie (polovodiče)HEXFET®Kanálů1Typ (výrobce)IRLML6244TRPBFZpůsob montážePovrchová montážTyp pouzdra (polovodiče)SOT-23Provozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota (max.)+150 °CZkratka ...
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)60 VKanálů1Typ (výrobce)RFP50N06Způsob montážePrůchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče)TO-220ABProvozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota (max.)+175 °CZkratka výrobce (součástky)OnSVýrobceON ...
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)55 VSérie (polovodiče)HEXFET®Kanálů1Typ (výrobce)IRFZ34NPBFZpůsob montážePrůchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče)TO-220Provozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota (max.)+175 °CZkratka ...
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)30 VSérie (polovodiče)PowerTrench®Kanálů2Typ (výrobce)FDS6930BZpůsob montážePovrchová montážTyp pouzdra (polovodiče)SOIC-8Provozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota (max.)+150 °CZkratka ...
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)100 VKanálů1Typ (výrobce)IRF9510PBFZpůsob montážePrůchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče)TO-220Provozní teplota (min.)-55 °CProvozní teplota (max.)+175 °CZkratka výrobce ...
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. ...
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. ...
Výkonový tranzistor MOSFET, International Rectifier IRF5305, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 55 V, -31 A Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)55 VSérie (polovodiče)HEXFET®Kanálů1Typ (výrobce)IRF5305Způsob montážePovrchová montážTyp ...